全球最大记忆体制造厂南韩三星电子位于华城的工厂在元旦发生意外，引起全球紧张，三星在华城生产DRAM和储存型闪存（NAND Flash），以及采用极紫外光（EUV）的逻辑代工三大事业，尽管三星表示，会在最短时间内恢复生产，但市场正密切注意后续复工，预期这项停工恐助涨DRAM和NAND Flash本季涨势。

外电报导，三星位于南韩华城的工厂，在跨年夜发生短暂跳电，华城厂区内的部分工厂短暂停电，后来立即恢复供电，但三星仍决定停工进行产线检查，在了解受损程度后，希望在最短时间内恢复生产。推估至少要二到三天。

外电透露，三星华城厂区这次跳电事件，影响的包括生产DRAM 的 Line 12 产线，和生产NAND Flash 的 Line 13 产线，另外，还有采用 EUV 技术生产逻辑芯片。

市场人士估计，三星华城的DRAM和NAND Flash产线，虽然设立已有一段时间，但也是三星DRAM和NAND Flash主力产线，至于采用EUV先进设备的产线，制程较新，影响更为严重。

至于为何发生跳电的原因，目前并不清楚。一般而言，晶圆厂的供电系统都设计有两套回路，分别由两个不同的变电所来供电，降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次南韩三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况，却发生跳电，这部分也是三星内部必须停工检查的主要关键。

不过，去年日本东芝位于三重县的厂区因地震发生跳电，经历长达半年才恢复生产，造成市场NAND Flash供货短缺，去年7月NAND Flash现货止跌急涨，去年第4季和今年第1季价格也喊涨，三星华城厂跳电，如果停工期拉长，也势必影响整体DRAM和NAND Flash供应。

来源：经济日报